IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）隔离栅双极晶体管是一种新型高压、大电流、低压降、快速开关的功率半导体器件。作为功率半导体器件中的一种重要类型，IGBT模块普遍应用于交流调速、UPS不中断电源、太阳能和风能等方面。其基本缘故原由是IGBT器件具有大电流、大负载能力和高开关速率特征。IGBT在工业和民用领域的应用远景广漠。
与MOSFET和BDS等其他IGBT器件相比，IGBT器件具有交流开关和直流放大的双重特点。IGBT的硅外面包覆有氧化铝形成氧化护卫层，故用于电动汽车、风力发电、UPS不中断电源、锅炉等领域。IGBT器件的控制和护卫必须稀奇注意，这对确保IGBT平安运行和延伸其寿命影响很大。
